Nvidia Pressiona a Indústria de Memória a Desenvolver Armazenamento de 100M IOPS Conforme a Tecnologia Atual Fica Aquém
O Alvo Ousado de 100M IOPS da Nvidia: A Revolução da Memória que Abalando Portfólios de Tecnologia
Em um data center no Vale do Silício, engenheiros se agrupam em bancadas de teste, levando protótipos de dispositivos de armazenamento além de seus limites. O objetivo — impressionantes 100 milhões de operações de entrada/saída por segundo (IOPS) — representa mais do que apenas uma especificação técnica. É a mais recente jogada de mestre da Nvidia para manter sua dominância em IA e forçar uma reinvenção fundamental da tecnologia de memória de computador.
As implicações para os investidores se estendem muito além da própria Nvidia, potencialmente remodelando portfólios em todo o setor de semicondutores por anos a fio.
O Ponto de Referência Impossível que Está Impulsionando uma Corrida Armamentista por Memória
Os SSDs PCIe 5.0 mais rápidos de hoje atingem o máximo de cerca de 2-3 milhões de IOPS — mal 3% do alvo da Nvidia. Esse abismo de desempenho não é meramente ambicioso; é matematicamente impossível com a tecnologia atual.
"O que a Nvidia está pedindo não é apenas difícil — viola a física do flash NAND de hoje", explicou um arquiteto sênior de armazenamento que pediu anonimato devido a parcerias em andamento com a fabricante de GPUs. "Mesmo no PCIe 6.0, você saturaria múltiplas pistas tentando atingir esses números. Isso é a Nvidia essencialmente dizendo à indústria: inovem ou se tornem irrelevantes."
O impulso surge à medida que os modelos de IA crescem exponencialmente, criando demandas sem precedentes por leituras aleatórias de pequenos blocos — a operação exata onde a tecnologia de armazenamento atual falha mais dramaticamente. Aceleradores de IA modernos, como as GPUs B200 da Nvidia, oferecem larguras de banda de memória de até 8 terabytes por segundo, expondo os subsistemas de armazenamento como o gargalo crítico.
XL-Flash da Kioxia: Primeira Jogadora na Nova Corrida por Memória
A gigante japonesa de memória Kioxia emergiu como a pioneira no enfrentamento desse desafio, desenvolvendo um "SSD de IA" usando tecnologia XL-Flash de célula de nível único (SLC). Amostras de engenharia são esperadas para o 4º trimestre de 2025, com produção piloto no início de 2026 — provavelmente cronometrada com a plataforma "Vera Rubin" de próxima geração da Nvidia.
Os drives XL-Flash visam entregar mais de 10 milhões de IOPS com latências de leitura tão baixas quanto 3-5 microssegundos — uma melhoria dramática em relação aos SSDs atuais, mas ainda muito aquém do alvo ousado da Nvidia.
"A Kioxia está essencialmente construindo a tecnologia de ponte", observou um analista de memória de uma grande empresa de investimento. "Eles aceitaram que 100 milhões de IOPS de um único dispositivo estão a anos de distância, mas seu XL-Flash oferece aos clusters de IA um aumento de desempenho suficiente para justificar gastos de capital de curto prazo."
As ações da Kioxia subiram 32% no acumulado do ano na Bolsa de Valores de Tóquio após sua listagem em dezembro de 2024 a ¥1.440, refletindo a confiança do investidor em sua estratégia de armazenamento de IA.
O Problema da Física: Por que 100M IOPS Exige a Reinvenção da Memória
Os desafios técnicos para atingir 100 milhões de IOPS são assustadores. Os roteiros atuais baseados em NAND parecem estagnar em torno de 20 milhões de IOPS devido a limitações fundamentais no tempo de comutação em nível de célula e restrições de empacotamento físico.
Um consenso notável emergiu entre os líderes da indústria de memória: uma solução verdadeira exige uma tecnologia de memória de classe de armazenamento (SCM) inteiramente nova com latência de sub-microssegundo, resistência superior a um bilhão de ciclos de gravação e custo em até 5x do flash NAND.
A tecnologia Optane da Intel certa vez pareceu a candidata perfeita, mas sua descontinuação (com as atualizações finais de firmware terminando em março de 2025) deixou o campo amplamente aberto.
"Estamos olhando para uma evolução em duas frentes", explicou um fornecedor de equipamentos de semicondutores. "Combinações de NAND mais controlador avançarão lentamente em direção a 20 milhões de IOPS até 2027, enquanto tecnologias SCM especializadas como MRAM ou ReRAM servirão como buffers ultrarrápidos através de interfaces CXL. O número de 100 milhões se torna atingível apenas em nível de sistema através de interconexões de malha inteligente."
O Campo de Batalha da Alocação de Capital: Vencedores e Perdedores
Para os investidores, essa disrupção tecnológica cria um cenário complexo de oportunidades e riscos. A análise de mercado sugere quatro cenários potenciais, sendo o mais provável uma abordagem híbrida onde o flash tradicional atinge aproximadamente 20-30 milhões de IOPS, enquanto módulos de memória especializados lidam com a lacuna de desempenho.
A Micron Technology (NASDAQ: MU) se destaca como um potencial beneficiário primário. Negociada a US$ 126,74, a Micron oferece exposição rara tanto à memória de alta largura de banda quanto à escala de flash NAND. Sua redefinição do Ano Fiscal de 2024 posiciona a empresa para alavancagem de margem nos Anos Fiscais de 2025-2027.
A Western Digital (NASDAQ: WDC), atualmente a US$ 62,59, apresenta oportunidade tática em torno de sua joint venture com a Kioxia e acesso à tecnologia XL-Flash. A próxima cisão de sua divisão de HDDs como "W Digital Storage Co." no início de 2026 poderia desencadear a expansão de múltiplos se o XL-Flash aumentar a produção com sucesso.
Players menores como a Silicon Motion Technology (NASDAQ: SIMO), a US$ 72,53, e a Everspin Technologies (NASDAQ: MRAM), a US$ 6,24, oferecem exposição especializada. A propriedade intelectual do controlador da Silicon Motion é considerada essencial para projetos de canais ultra-altos, enquanto a posição da Everspin como única fornecedora de MRAM em volume a torna um potencial disruptor, apesar das preocupações de liquidez para small-caps.
Além do Horizonte: Posicionamento Estratégico de Investimento
O calendário de catalisadores da indústria revela pontos de inflexão críticos à frente. A conferência Hot Chips de agosto de 2025 apresentará uma análise aprofundada do controlador da Kioxia, revelando a contagem de canais e orçamentos de energia. A feira SC25 de novembro promete a primeira demonstração pública da tecnologia E3.S CXL-MRAM da SMART.
"O dinheiro inteligente não está apostando em um único vencedor", aconselhou um gestor de portfólio especializado em investimentos em semicondutores. "Ele está construindo uma estratégia barbell — posições centrais em líderes de memória escalável como a Micron, exposição tática à Western Digital em torno dos marcos da XL-Flash, e pequenas alocações especulativas em tecnologias inovadoras como a MRAM."
Para os traders profissionais, a oportunidade reside em reconhecer que o alvo de 100 milhões de IOPS da Nvidia funciona menos como uma especificação de produto e mais como uma função de força — compelindo o ecossistema de memória a declarar seus limites físicos e acelerar o desenvolvimento da próxima geração.
A tese de investimento é clara: ponderar excessivamente líderes de memória escalável, manter exposição tática à inovação em controladores e estabelecer opções estratégicas sobre tecnologias disruptivas de memória de classe de armazenamento que poderiam redefinir toda a pilha de infraestrutura de IA.
Este artigo é apenas para fins informativos e não deve ser considerado aconselhamento de investimento. O desempenho passado não garante resultados futuros. Os leitores devem consultar consultores financeiros para orientação personalizada.